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C2M0080120D
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Numero di parte
C2M0080120D
Produttore/Marchio
Serie
C2M™
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247-3
Dissipazione di potenza (massima)
192W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
36A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
62nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 1000V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -10V
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