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C2M0025120D
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Numero di parte
C2M0025120D
Produttore/Marchio
Serie
Z-FET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247-3
Dissipazione di potenza (massima)
463W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
90A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 10mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
161nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2788pF @ 1000V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -10V
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