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C2M0045170D

C2M0045170D

MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
Numero di parte
C2M0045170D
Produttore/Marchio
Serie
C2M™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247-3
Dissipazione di potenza (massima)
520W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
72A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 18mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
188nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3672pF @ 1kV
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -10V
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Parole chiave di C2M0045170D
C2M0045170D Componenti elettronici
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