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SIR606DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Numero di parte
SIR606DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (massima)
44.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
37A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
16.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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