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SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Numero di parte
SIR606BDP-T1-RE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (massima)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
7.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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