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SIJ188DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Numero di parte
SIJ188DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (massima)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1920pF @ 30V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
7.5V, 10V
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