L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Numero di parte
SIJ186DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (massima)
5W (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 44891 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3 Componenti elettronici
SIJ186DP-T1-GE3 Vendita
SIJ186DP-T1-GE3 fornitore
SIJ186DP-T1-GE3 Distributore
SIJ186DP-T1-GE3 Tabella dati
SIJ186DP-T1-GE3 Fotografie
SIJ186DP-T1-GE3 Prezzo
SIJ186DP-T1-GE3 Offerta
SIJ186DP-T1-GE3 Prezzo più basso
SIJ186DP-T1-GE3 Ricerca
SIJ186DP-T1-GE3 Acquisto
SIJ186DP-T1-GE3 Patata fritta