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STU6N90K5
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
Numero di parte
STU6N90K5
Produttore/Marchio
Serie
MDmesh™ K5
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
IPAK (TO-251)
Dissipazione di potenza (massima)
110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
900V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
6A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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