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STU6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Numero di parte
STU6N65M2
Produttore/Marchio
Serie
MDmesh™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
IPAK (TO-251)
Dissipazione di potenza (massima)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±25V
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