ON Semiconductor
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NVMD6P02R2G

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Numero di parte
NVMD6P02R2G
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
750mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOIC
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.8A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
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