ON Semiconductor
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NVMD6N04R2G
Schede tecniche

NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Numero di parte
NVMD6N04R2G
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
1.29W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.6A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 32V
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