L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Numero di parte
NTMS10P02R2G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOIC
Dissipazione di potenza (massima)
1.6W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 16V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 48443 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di NTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Componenti elettronici
NTMS10P02R2G Vendita
NTMS10P02R2G fornitore
NTMS10P02R2G Distributore
NTMS10P02R2G Tabella dati
NTMS10P02R2G Fotografie
NTMS10P02R2G Prezzo
NTMS10P02R2G Offerta
NTMS10P02R2G Prezzo più basso
NTMS10P02R2G Ricerca
NTMS10P02R2G Acquisto
NTMS10P02R2G Patata fritta