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NTMS10P02R2
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Numero di parte
NTMS10P02R2
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SOIC
Dissipazione di potenza (massima)
1.6W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8.8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 16V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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