ON Semiconductor
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FDB5645
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FDB5645

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Numero di parte
FDB5645
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D²PAK (TO-263AB)
Dissipazione di potenza (massima)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
107nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4468pF @ 30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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