ON Semiconductor
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FDB52N20TM
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FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Numero di parte
FDB52N20TM
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
UniFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D²PAK
Dissipazione di potenza (massima)
357W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
52A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
63nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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