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IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Numero di parte
IRF6785MTR1PBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
DirectFET™ Isometric MZ
Pacchetto dispositivo del fornitore
DIRECTFET™ MZ
Dissipazione di potenza (massima)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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