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IRF60B217

IRF60B217

MOSFET N-CH 60V 60A
Numero di parte
IRF60B217
Produttore/Marchio
Serie
StrongIRFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220AB
Dissipazione di potenza (massima)
83W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IRF60B217
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