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IRF60DM206
MOSFET N-CH 60V 130A
Numero di parte
IRF60DM206
Produttore/Marchio
Serie
StrongIRFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
DirectFET™ Isometric ME
Pacchetto dispositivo del fornitore
DirectFET™ Isometric ME
Dissipazione di potenza (massima)
96W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
130A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
6530pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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