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IRF6712STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Numero di parte
IRF6712STR1PBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
DirectFET™ Isometric SQ
Pacchetto dispositivo del fornitore
DIRECTFET™ SQ
Dissipazione di potenza (massima)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
17A (Ta), 68A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 13V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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