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IRF6644

IRF6644

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
Numero di parte
IRF6644
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
DirectFET™ Isometric MN
Pacchetto dispositivo del fornitore
DIRECTFET™ MN
Dissipazione di potenza (massima)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.8V @ 150µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
47nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IRF6644
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