L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
IRF100P219XKMA1
TRENCH_MOSFETS
Numero di parte
IRF100P219XKMA1
Produttore/Marchio
Serie
StrongIRFET™
Stato della parte
Active
Confezione
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247AC
Dissipazione di potenza (massima)
341W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
270nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
12020pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 21144 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di IRF100P219XKMA1
IRF100P219XKMA1 Componenti elettronici
IRF100P219XKMA1 Vendita
IRF100P219XKMA1 fornitore
IRF100P219XKMA1 Distributore
IRF100P219XKMA1 Tabella dati
IRF100P219XKMA1 Fotografie
IRF100P219XKMA1 Prezzo
IRF100P219XKMA1 Offerta
IRF100P219XKMA1 Prezzo più basso
IRF100P219XKMA1 Ricerca
IRF100P219XKMA1 Acquisto
IRF100P219XKMA1 Patata fritta