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IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Numero di parte
IRF100B202
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220AB
Dissipazione di potenza (massima)
221W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
97A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
116nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4476pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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