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2N7638-GA
TRANS SJT 650V 8A TO276
Numero di parte
2N7638-GA
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-276AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-276
Dissipazione di potenza (massima)
200W (Tc)
Tipo FET
-
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8A (Tc) (158°C)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 8A
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 35V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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