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2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO-257
Numero di parte
2N7635-GA
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-257-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-257
Dissipazione di potenza (massima)
47W (Tc)
Tipo FET
-
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Tc) (165°C)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
415 mOhm @ 4A
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 35V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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