L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Numero di parte
SQM60030E_GE3
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D²PAK (TO-263)
Dissipazione di potenza (massima)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
120A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
165nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 28878 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3 Componenti elettronici
SQM60030E_GE3 Vendita
SQM60030E_GE3 fornitore
SQM60030E_GE3 Distributore
SQM60030E_GE3 Tabella dati
SQM60030E_GE3 Fotografie
SQM60030E_GE3 Prezzo
SQM60030E_GE3 Offerta
SQM60030E_GE3 Prezzo più basso
SQM60030E_GE3 Ricerca
SQM60030E_GE3 Acquisto
SQM60030E_GE3 Patata fritta