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SQM10250E_GE3
MOSFET N-CHAN 250V TO-263
Numero di parte
SQM10250E_GE3
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263 (D²Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
65A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4050pF @ 25V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
7.5V, 10V
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