Acquista Vishay Siliconix SQA403EJ-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V

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Schede tecniche

SQA403EJ-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V

Numero di parte

SQA403EJ-T1_GE3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato della parte

Active

Confezione

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

PowerPAK® SC-70-6

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Single

Dissipazione di potenza (massima)

13.6W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

10A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

4.5V, 10V

Vg (massimo)

±20V

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