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SQ4431EY-T1_GE3

SQ4431EY-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Numero di parte
SQ4431EY-T1_GE3
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
-
Dissipazione di potenza (massima)
6W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10.8A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1265pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di SQ4431EY-T1_GE3
SQ4431EY-T1_GE3 Componenti elettronici
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