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SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Numero di parte
SIZF300DT-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerWDFN
Potenza: max
3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PowerPair® (6x5)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
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