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SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Numero di parte
SIZ200DT-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerWDFN
Potenza: max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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