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SIUD406ED-T1-GE3

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Numero di parte
SIUD406ED-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 0806
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 0806
Dissipazione di potenza (massima)
1.25W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
500mA (Ta)
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
17pF @ 15V
Vg (massimo)
±8V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
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Parole chiave di SIUD406ED-T1-GE3
SIUD406ED-T1-GE3 Componenti elettronici
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