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SISS02DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Numero di parte
SISS02DN-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8S
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Dissipazione di potenza (massima)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
51A (Ta), 80A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
83nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4450pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
+16V, -12V
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