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SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Numero di parte
SISF00DN-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET® Gen IV
Stato della parte
Active
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8SCD
Potenza: max
69.4W (Tc)
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8SCD
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
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