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Schede tecniche

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Numero di parte

SISA10DN-T1-GE3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stato della parte

Active

Confezione

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerPAK® 1212-8

Dissipazione di potenza (massima)

3.6W (Ta), 39W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

30A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

51nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2425pF @ 15V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

4.5V, 10V

Vg (massimo)

+20V, -16V

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