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SIS902DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Numero di parte
SIS902DN-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8 Dual
Potenza: max
15.4W
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
75V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 38V
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