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SIR770DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Numero di parte
SIR770DP-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8 Dual
Potenza: max
17.8W
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 15V
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