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SIHJ240N60E-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L
Numero di parte
SIHJ240N60E-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
E
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (massima)
89W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
12A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
Vg (massimo)
±30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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