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SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
Numero di parte
SIHH14N65E-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 8 x 8
Dissipazione di potenza (massima)
156W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
15A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
96nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1712pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di SIHH14N65E-T1-GE3
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