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SIHH11N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
Numero di parte
SIHH11N60E-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 8 x 8
Dissipazione di potenza (massima)
114W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
11A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
339 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
62nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1076pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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