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SIHG050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V
Numero di parte
SIHG050N60E-GE3
Produttore/Marchio
Serie
E
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247AC
Dissipazione di potenza (massima)
278W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
51A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3459pF @ 100V
Vg (massimo)
±30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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