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SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Numero di parte
SIHD12N50E-GE3
Produttore/Marchio
Serie
E
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
D-PAK (TO-252AA)
Dissipazione di potenza (massima)
114W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
550V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10.5A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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