L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SI7703EDN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Numero di parte
SI7703EDN-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Dissipazione di potenza (massima)
1.3W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.3A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 800µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 41609 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di SI7703EDN-T1-E3
SI7703EDN-T1-E3 Componenti elettronici
SI7703EDN-T1-E3 Vendita
SI7703EDN-T1-E3 fornitore
SI7703EDN-T1-E3 Distributore
SI7703EDN-T1-E3 Tabella dati
SI7703EDN-T1-E3 Fotografie
SI7703EDN-T1-E3 Prezzo
SI7703EDN-T1-E3 Offerta
SI7703EDN-T1-E3 Prezzo più basso
SI7703EDN-T1-E3 Ricerca
SI7703EDN-T1-E3 Acquisto
SI7703EDN-T1-E3 Patata fritta