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SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
Numero di parte
SI7615ADN-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Dissipazione di potenza (massima)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
35A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
183nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5590pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 10V
Vg (massimo)
±12V
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