L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
SI7601DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Numero di parte
SI7601DN-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Dissipazione di potenza (massima)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
16A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
27nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 12440 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di SI7601DN-T1-E3
SI7601DN-T1-E3 Componenti elettronici
SI7601DN-T1-E3 Vendita
SI7601DN-T1-E3 fornitore
SI7601DN-T1-E3 Distributore
SI7601DN-T1-E3 Tabella dati
SI7601DN-T1-E3 Fotografie
SI7601DN-T1-E3 Prezzo
SI7601DN-T1-E3 Offerta
SI7601DN-T1-E3 Prezzo più basso
SI7601DN-T1-E3 Ricerca
SI7601DN-T1-E3 Acquisto
SI7601DN-T1-E3 Patata fritta