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SI7495DP-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Numero di parte

SI7495DP-T1-E3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

PowerPAK® SO-8

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerPAK® SO-8

Dissipazione di potenza (massima)

1.8W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

13A (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 21A, 4.5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

900mV @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

140nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

1.8V, 4.5V

Vg (massimo)

±8V

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