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SI7403BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK

Numero di parte

SI7403BDN-T1-GE3

Produttore/Marchio

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerPAK® 1212-8

Dissipazione di potenza (massima)

3.1W (Ta), 9.6W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

8A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

2.5V, 4.5V

Vg (massimo)

±8V

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