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SI6913DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Numero di parte
SI6913DQ-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potenza: max
830mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.9A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
900mV @ 400µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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