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SI4010DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
Numero di parte
SI4010DY-T1-GE3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Dissipazione di potenza (massima)
6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
31.3A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
77nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3595pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
+20V, -16V
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