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SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Numero di parte
SI3552DV-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potenza: max
1.15W
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-TSOP
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Parole chiave di SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3 Componenti elettronici
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