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SI2351DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Numero di parte
SI2351DS-T1-E3
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Dissipazione di potenza (massima)
1W (Ta), 2.1W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.8A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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